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In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O611.6[理学—无机化学;理学—化学]
  • 作者机构:[1]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070
  • 相关基金:国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB607501); 国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006); 国家111计划(批准号:B07040)资助的课题
中文摘要:

用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的InxCo4Sb12(x=0.1—0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米InSb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21。

英文摘要:

Skutterudite compounds InxCo4Sb12(x = 0.1—0.4) have been synthesized by a melt-quench-anneal-spark plasma sintering method.x-ray diffraction(XRD) and filed emission scanning electron microscopy(FESEM) results show that doping of In results in a nano structured InSb phase distributed in the grain boundaries when the content of In exceeds its filling fraction limit in the skutterudites.Furthermore,the content of InSb increases with increasing In content.Our research indicates that the existence of nanostructured secondary phase InSb increases the power factor,decreases the lattice thermal conductivity,and therefore remarkably improves the thermoelectric properties of the compounds.The highest thermoelectric figure of merit ZT = 1.21 is achieved at 800 K in the In0.35Co4Sb12 compound.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876