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中文摘要：
报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法。通过将Al0.4Ga0.6As（28nm）-Al0.2Ga0.8As（10nm）-GaAs（50nm）带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化。数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声（有效离化系数为0.1）,约33GHz的3dB带宽（增益为5）,在增益为15时可获得420GHz的增益带宽积。在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程。
英文摘要：
A novel structural design of resonant cavity enhanced avalanche photodiodes（RCE-APD）,which introduces the AlxGa1-xAs bandgap graded structure into the multiplication region,and a new method for optimizing the fabrication process of RCE-APD is presented.The noise characteristics and frequency response of the avalanche photodiodes can be optimized by placing the structure of Al0.4Ga0.6As（28nm）-Al0.2Ga0.8As（10nm）-GaAs（50nm）into the high field region.Through theoretical analysis,a low noise（keff≈0.1）,a bandwidth as high as 33 GHz and a record gain-bandwidth product about 420GHz（G=15）are obtained.Benzocyclobutene（BCB）is used to stick the InP/Air DBR resonant-cavity and the photo-detector together,simplifying the fabrication process.
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