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热致漂白效应对非晶Ge_(34)Ga_2S_(64)薄膜结构和光学特性的影响
  • ISSN号：1005-0086
  • 期刊名称：光电子.激光
  • 时间：0
  • 页码：718-723
  • 分类：TQ171.1[化学工程—玻璃工业;化学工程—硅酸盐工业] O437[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理]
  • 作者机构：[1]宁波大学红外材料及器件实验室,浙江宁波315211
  • 相关基金：国家自然科学基金（60978058,61008041）; 浙江省自然科学基金（Y1090996）; 宁波市新型光功能材料与器件创新团队基金（2009B21007）; 宁波自然基金（2011A610092）; 瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放课题（SKLST201010）; 宁波大学胡岚博士基金及王宽诚幸福基金;宁波大学优秀学位论文培育基金; 浙江省大学生科技创新活动计划（2001R405055）资助项目
  • 相关项目：硫系玻璃波导器件设计、制备及性能研究
作者： 陈昱|徐铁峰|聂秋华|沈祥|王国祥|付晶|陈芬|李军|张巍|林常规|戴世勋|
关键词： Ge-Ga-S薄膜, 热蒸发, 光学参数, 拉曼结构, 热致漂白, Ge-Ga-S film, thermal evaporation, optical parameters, Raman structure, thermal-bleaching
中文摘要：

采用热蒸发法技术沉积Ge34Ga2S64非晶薄膜,并对薄膜样品在375℃热处理2h。通过分光光度计、表面轮廓仪和显微拉曼光谱仪测试热处理前后薄膜样品的透过曲线、薄膜厚度和拉曼结构。利用薄膜干涉曲线的波峰和波谷计算了薄膜的厚度和折射率,并根据Swanepoel方法以及Tauc公式分别计算了薄膜折射率色散曲线和光学带隙等参数。结果表明,Ge34Ga2S64非晶薄膜经热处理后发生热致漂白效应,大分子团簇以及Ge-Ge、S-S同极错键含量明显减少,网络结构无序性降低,从而引起薄膜的光学吸收边蓝移、折射率降低、表面粗糙度（Ra）降低0.515nm和光学带隙增大0.118eV。

英文摘要：

Amorphous films of Ge34Ga2S64were deposited on quartz substrates by using thermal evaporation method.The optical parameters of as-deposited and annealed films are calculated using the Swanepoel method and Tauc law from the optical transmission spectra.After the heat treatment of as-deposited films at 375 ℃ for 2 h,the thermal-bleaching effects are observed,which are related to the reduction of clusters and fragments,as well as the density of homopolar bonds confirmed by the Raman spectra.As a result,the absorption spectra are blue shifted,the optical band gap of the studied films is increased by 0.118 eV,and the surface roughness is decreased by 0.515 nm.

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期刊信息
  • 《光电子．激光》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话：022-60214470
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0086
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:16551