位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
  • ISSN号：1000-2073
  • 期刊名称：苏州大学学报(自然科学版)
  • 时间：0
  • 页码：53-57
  • 相关项目：多频等离子体与硅基软物质的作用研究
作者： 刘卉敏，周 峰，崔 进，邓艳红，叶 超|
同期刊论文项目
多频等离子体与硅基软物质的作用研究
期刊论文 26 会议论文 1
同项目期刊论文
Growth of graphene on SiC at low temperature with the fluorocarbon plasma pre-etching
Effect of Low-frequency Power on F, CF2 Relative Density and F/CF2 Ratio in Fluorocarbon Dual-freque
C2F6、C4F8的双频电容耦合等离子体特性研究
C2F6/O2/Ar plasma chemistry of 60MHz/2MHz dual- frequency discharge and its effect on etching of SiC
CHF3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析
Light emission from a-Si:C:O:H films fabricated by C2F6 and O2/C2F6 plasma treating silicone oil liq
Photoluminescence of silicone oil treated by fluorocarbon plasma
O2流量对O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能影响
CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究
SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究
C_2F_6、C_4F_8的双频电容耦合等离子体特性研究
CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析
O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
Structural evolution of silicone oil liquid exposed to Ar plasma
Effect of Low-frequency Power on F, CF2 Relative Density and F/CF2 Ratio in Fluorocarbon Dual-Frequency Plasmas
C_2F_6 /O_2 /Ar Plasma Chemistry of 60 MHz/2 MHz Dual-Frequency Discharge and Its Effect on Etching of SiCOH Low-k Film
Photoluminescence of silicone oil treated by fluorocarbon plasma
Effect of Low-Frequency Power on Etching Characteristics of 6H-SiC in C4F8/Ar Dual-Frequency Capacitively Coupled Plasma
Effect of Internal Antenna Coil Power on the Plasma Parameters in 13.56 MHz/60 MHz Dual-Frequency Sputtering＊
期刊信息
  • 《苏州大学学报：自然科学版》
  • 主管单位:江苏省教育厅
  • 主办单位:苏州大学
  • 主编：郎建平
  • 地址：江苏省苏州市十梓街1号
  • 邮编：215006
  • 邮箱：fangtong@suda.edu.cn
  • 电话：0512-65225985 65225991传
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-2073
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1226/N
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）
  • 被引量:2060