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Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响
  • 期刊名称：微细加工技术,2009,已接受
  • 时间：0
  • 分类：TN304.21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：苏州大学物理科学与技术学院, 江苏省薄膜材料重点实验室, 苏州大学分析测试中心
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(10575073);江苏省高校自然科学基金资助项目(03KJB140116)
  • 相关项目：双离子束溅射制备过渡金属掺杂稀磁半导体薄膜及磁电光性质
关键词： CU掺杂, ZNO薄膜, 电光学性质
中文摘要：

采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度;用紫外分光光度计测量了样品的透光性,结果显示,随掺杂量的增加,其透光性减弱,但在Cu掺杂量为9.6%时其透光性还在60%以上。用四探针测量了样品的表面电阻率,薄膜的电阻率随Cu掺杂量的增加而增加。

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