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SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN722.75[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电控学院,北京100022
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KR)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2006-286)
中文摘要:

模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求。

英文摘要:

The effect of base bias resistors on the parameters of PA (power amplifier) was simulated. Under the condition of satisfying the requirement of efficiency, S parameters, voltage standing wave rate (VSWR), power gain and stabilization, the base bias resistor was optimized for minimizing the third-order inter-modulation. It shows that an optimum base bias resistor can make the PA DC bias point unchanged, make the third-order inter-modulation minimum and, improve the flatness of power gain, and make the S parameters meet the requirement of PA.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070