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兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:半导体技术
  • 时间:0
  • 页码:1118-1121
  • 语言:中文
  • 分类:TN722.75[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60776051,60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)一00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学青年科研基金(9r7002013200701);北京工业大学博士科研启动费(52002013200701);北京工业大学第七届研究生科技基金
  • 相关项目:超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究
中文摘要:

选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求。该放大器在3.1-10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW。

英文摘要:

A resistive-feedback UWB LNA (uhra-wideband low noise amplifier) was presented. SiGe HBT was adopted as the active device of this LNA. A novel methodology was proposed to match the input impedance of this LNA with advantage of T-type matching network constituted of the serial inductance at the base, feedback loop and Miller capacitors. Meanwhile, the effect of the serial inductance on the group delay of this LNA was discussed for optimizing LB. The simulation results indicate the gain of LNA reaches as high as 12.7 dB with the variation of 1.8 dB, NF is less than 3.85 dB, group delay is less than 24 ps from 3.1 to 10.6 GHz and the power consuming is only 6.3 mW.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
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  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
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