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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
  • ISSN号:1009-5986
  • 期刊名称:电子与信息学报
  • 时间:0
  • 页码:2028-2032
  • 语言:中文
  • 分类:TN722.3[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124, [2]泰山学院物理与电子工程学院,山东泰安271000
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60776051,610(K3044,61006059);北京市自然科学基金资助项目(4082007,41421307,4143059);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015,KM200910005001);北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);山东省高等学校科技计划项目(J13LN09)
  • 相关项目:超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究
中文摘要:

设计了一款基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成,其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联,实现输入匹配及噪声抵消;放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗;输出缓冲级采用源跟随器结构,实现良好的输出匹配。基于TSMC0.18μmCMOS工艺库,验证表明在C频段,放大器的增益为20.4±0.5dB,噪声系数介于2.3~2.4dB之间,输入和输出的回波损耗均优于-11dB,稳定因子恒大于1,在6.5GHz下,1dB压缩点为-16.6dBm,IIP3为-7dBm,在2.5V电压下,电路功耗仅为6.75mW。

英文摘要:

In this paper, a low power differential low noise amplifier(LNA) for C-band application based on noise cancellation technology is presented. The LNA consists of input stage, amplifier stage and output buffer stage. The input stage realizes the input match and noise cancellation by a cascade of the differential pairs of direct cross coupling and cross coupling. Current reuse structure with resistance-inductance paral- lel feedback is adopted at amplifier stage to obtain high gain, good gain flatness and low power consumption. The output stage employs a source-follower to achieve excellent output match. Based on TSMC 0.18 μm CMOS process library,the simulation results show that over the C-band, the gain is 20.4 + 0.5 dB, noise figure over 2.3 - 2.4 dB, input and output match loss is below - 11 dB, stable factor than 1, 1 dB compress point is -16.6 dBm, IIP3 is -7 dBm at 6.5 GHz. With the power supply voltage of 2.5 V, the circuit power consumption is only 6.75 mW.

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