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Impact of line-edge roughness on double-gate Schottky-barrier field-effect transistors
  • 期刊名称:IEEE Trans. Electron Devices
  • 时间:0
  • 页码:1211-1219
  • 语言:英文
  • 相关项目:纳米工艺下可制造性和成品率驱动的集成电路设计方法学研究
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