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Triple-gate fin field effect transistors with fin-thickness optimization to reduce the impact of fin
  • 期刊名称:Japanese Journal of Applied Physics
  • 时间:0
  • 页码:04C052-04C052-3
  • 语言:英文
  • 相关项目:纳米工艺下可制造性和成品率驱动的集成电路设计方法学研究
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