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The origin and evolution of V-defects in InxAl1?xN epilayers grown by metalorganic chemical vapor de
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:0
  • 页码:22-28
  • 语言:英文
  • 相关项目:GaN基异质结构的光学偏振问题及其控制
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