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Si3P4和Ge3P4电子结构及光学性质的第一性原理研究
  • ISSN号：1005-023X
  • 期刊名称：《材料导报》
  • 时间：0
  • 分类：O469[理学—凝聚态物理;理学—电子物理学;理学—物理]
  • 作者机构：黔南民族师范学院物理与电子科学系, 云南大学光电信息材料研究所
  • 相关基金：国家自然科学基金(60567001);云南大学“学术骨干培养基金”
作者： 刘芳, 桑田, 赵华, 周武雷, 杨宇
关键词： Si3P4, Ge3P4, 光学性质, 第一性原理
中文摘要：

采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。

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期刊信息
  • 《材料导报：纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编：
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  • 国际标准刊号：ISSN：1005-023X
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1078/TB
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