位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Deteriorated radiation effects impact on the characteristics of MOS transistors with multi-finger co
  • ISSN号:0026-2714
  • 期刊名称:Microelectronics Reliability
  • 时间:0
  • 页码:1094-1097
  • 语言:英文
  • 相关项目:集成电路工艺研究(包括CAM)
同期刊论文项目
期刊论文 55 会议论文 53 获奖 2 专利 35
同项目期刊论文