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MOS器件静电放电潜在性失效概述
  • 期刊名称：河北科技大学学报
  • 时间：2011.8.15
  • 页码：34-37
  • 分类：N55[自然科学总论]
  • 作者机构：[1]军械工程学院静电与电磁防护研究所
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(60871066;60971042)
  • 相关项目：不同特征频率小功率硅双极晶体管静电放电敏感端对的研究
作者： 杨洁|武占成|张希军|胡有志|
关键词： 静电放电, MOS器件, 潜在性失效, 检测
中文摘要：

各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效,而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效,是目前最具争议的一种失效模式,也最具威胁性。国内外研究人员在此方面积极开展了多项研究并取得了较大的进展,他们的研究结果表明:在MOS器件中确实存在静电放电潜在性失效问题。同时,在他们的研究中对MOS器件静电放电潜在性失效的损伤机理、检测方法等进行了相应研究。

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