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硫属化合物纳米结构与共轭聚合物的杂化体异质结及其光伏特性的研究
  • 项目名称:硫属化合物纳米结构与共轭聚合物的杂化体异质结及其光伏特性的研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:20771032
  • 申请代码:B0101
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:蒋阳
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:合肥工业大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

本课题建立了一条绿色化学途径合成II-VI族量子点的新途径,合成了高量子产率、高荧光的CdSe、CdS、ZnSe、CdTe、以及CdS/ZnS, CdSe/ZnS核壳等系列量子点。对CdS,ZnS,CdSe、ZnO、ZnTe等系列II-VI族阵列纳米结构、一维纳米结构进行了可控合成和基于器件应用的Cl,P, N,In、Ga等元素的可调控掺杂。采用硫化法实现对三元CdSexS1-x纳米带的能带调控,通过气相控制反应获得p型导电的ZnTe一维纳米结构,实现了成分、大小以及相应的半导体带隙的调节。探索和发展了多个基于II-VI族纳米结构的如CdS:P、ZnSGa, ZnS:Cl,CdSexS1-x, ZnTe及其掺杂的纳米结构的场效应管和紫外、X-Ray 等光响应器件,由此对掺杂一维II-VI族纳米材料的输运特性、光响应特性进行了系统的研究。从半导体能带理论出发研究构建CdS三维阵列纳米结构-P3HT光伏器件和II-VI量子点-P3HT杂化体系光伏电池,研究了光生载流子的传输特性与光电转换性质,相应光伏器件光电转换效率最高达到3%,填充因子35-50%。

结论摘要:

英文主题词II-VI group semiconductors; Quantum Dots; Doping; Energy gap adjusting; Solar cells


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