本课题建立了一条绿色化学途径合成II-VI族量子点的新途径,合成了高量子产率、高荧光的CdSe、CdS、ZnSe、CdTe、以及CdS/ZnS, CdSe/ZnS核壳等系列量子点。对CdS,ZnS,CdSe、ZnO、ZnTe等系列II-VI族阵列纳米结构、一维纳米结构进行了可控合成和基于器件应用的Cl,P, N,In、Ga等元素的可调控掺杂。采用硫化法实现对三元CdSexS1-x纳米带的能带调控,通过气相控制反应获得p型导电的ZnTe一维纳米结构,实现了成分、大小以及相应的半导体带隙的调节。探索和发展了多个基于II-VI族纳米结构的如CdS:P、ZnSGa, ZnS:Cl,CdSexS1-x, ZnTe及其掺杂的纳米结构的场效应管和紫外、X-Ray 等光响应器件,由此对掺杂一维II-VI族纳米材料的输运特性、光响应特性进行了系统的研究。从半导体能带理论出发研究构建CdS三维阵列纳米结构-P3HT光伏器件和II-VI量子点-P3HT杂化体系光伏电池,研究了光生载流子的传输特性与光电转换性质,相应光伏器件光电转换效率最高达到3%,填充因子35-50%。
英文主题词II-VI group semiconductors; Quantum Dots; Doping; Energy gap adjusting; Solar cells