FeCMOS基本门电路辐照效应及机理研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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FeCMOS基本门电路辐照效应及机理研究

项目名称：FeCMOS基本门电路辐照效应及机理研究
项目类别：面上项目
批准号：61176093
申请代码：F040603
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2012-01-01-2015-12-31

项目负责人：李建成
依托单位：中国人民解放军国防科学技术大学
批准年度：2011

中文摘要：

集成电路存储器件的抗辐照特性是航天器设计过程中需要解决的关键技术问题之一。基于1T结构的铁电场效应管(FeFET)存储器作为一种新型的集成电路存储器件，在集成度、工作速度、低功耗以及抗辐照等方面表现出了非常优秀的特性，是国际上信息高新技术研究的前沿和热点之一，能满足空天设备的应用需求。本项目将以FeCMOS基本门电路的抗辐照物特性为研究对象，通过软件模拟和对器件的实测，完成对FeCMOS基本门电路电学特性的分析及其电路级SPICE建模；通过具体的总剂量辐照实验以及结果分析，完成对FeCMOS基本门电路辐照特性的分析及辐照机理研究，并且对FeCMOS基本门电路总剂量辐照效应进行电路级的SPICE建模，解决存储器设计中基本单元的建模、仿真以及抗辐照机理问题，为将来进行高性能抗辐照的铁电存储器提供坚实的理论与实践支持。

中文主题词：抗辐照；总剂量效应；铁电场效应管；铁电存储器；SPICE建模

英文摘要：

anti irradiation；total dose effect；ferroelectric field effect tube；ferroelectric memory；SPICE modeling

英文主题词： anti irradiation；total dose effect；ferroelectric field effect tube；ferroelectric memory；SPICE modeling

结论摘要：

集成电路存储器件的抗辐照特性是航天器设计过程中需要解决的关键技术问题之一。铁电场效应管(FeFET)存储器作为一种新型的集成电路存储器件，在集成度、工作速度、低功耗以及抗辐照等方面表现出了非常优秀的特性，是国际上信息高新技术研究的前沿和热点之一，能满足空天设备的应用需求。本项目以FeCMOS 基本门电路的抗辐照特性为研究对象，通过软件模拟和对器件的实测，完成了对FeCMOS 基本门电路电学特性的分析及其电路级SPICE 建模；通过具体的总剂量辐照实验以及结果分析，完成了对FeCMOS 基本门电路辐照特性的分析及辐照机理研究，并且对FeCMOS 基本门电路总剂量辐照效应进行了电路级的SPICE 建模，解决了存储器设计中基本单元的建模、仿真以及抗辐照机理问题。

成果综合统计