中文摘要：

由于优良的材料物理特性，以GaN基高迁移率晶体管（HEMT）为代表的第三代宽禁带半导体器件，特别是有望实现大规模生产的硅基AlGaN/GaN HEMT器件正成为构建下一代高效率大功率开关器件的理想技术平台。本申请项目以探索硅基GaN HEMT击穿机制、发展提高器件击穿电压新技术为目标，开展硅基GaN HEMT器件阻断特性的研究，为GaN高压功率开关器件及电路的研究做技术储备。主要研究内容包括高性能硅基GaN HEMT的工艺制备、低电场下器件漏电机理的研究、器件击穿机制的研究、器件耐压新结构的设计和实现等。本项目申请人一直从事GaN基材料和器件的研究，在GaN HEMT特别是普通衬底上HEMT器件击穿机制的研究上取得了一定成果并积累了经验，在此基础上进一步研究硅基GaN HEMT的阻断特性。本项目的研究目标和内容均是当前国际上GaN HEMT器件以及功率开关领域的研究热点。