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　纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究
  • 项目名称：　纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究
  • 批准号：2010CB934200
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：张满红
  • 依托单位：中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 14
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期刊论文
Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology
A 65-nm 1-Gb NOR floating-gate flash memory with less than 50-ns access time
Simulation study of conductive filament growth dynamics in oxide-electrolyte-based ReRAM
An overview of the switching parameter variation of RRAM
掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进
电荷俘获存储器阻挡层研究进展
硅纳米晶存储器的耐受性研究
Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient
A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application
电阻转变型非挥发性存储器概述
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices
Improvement of CRC receiving controller for serial RapidIO
Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/SiaN4/SiO2/Si memory gate stack
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