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化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
  • 项目名称：化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：10175061
  • 申请代码：A050403
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2002-01-01-2004-12-01
  • 项目负责人：翁惠民
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：中国科学技术大学
  • 批准年度：2001
中文摘要：

宽禁带半导体碳化硅等，在发展高频、高温及高功率器件有着诱人的前景，备受重视。对其缺陷与物性关系的研究极为重要。正电子湮没技术恰好是研究缺陷行为的最佳手段。此类研究国内外均为初期工作。本课题用多普勒能谱及改变样品温度研究其缺陷及微结构，处理后变化与制备条件及其物性的联系。慢正电子束装置改进及增加变稳系统使之更适于本研究。

中文主题词： 正电子；碳化硅；缺陷；数字化；慢化体
结论摘要：

英文主题词positron;SiC;defect;digital;moderator

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
  • 26
期刊论文
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聚乙烯的多重弛豫与正电子湮没寿命谱
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