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Positron lifetime studies on 8 MeV electron-irradiated n-type 6H silicon carbide
  • 所属机构名称：中国科学技术大学
  • 成果类型：著作
  • 出版社：J.Phys.: Condens. Matter 16, 8409 (2004).
  • 语言：英文
  • 相关项目：化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
作者： C. H. Lam|T. W. Lam|C. C. Ling|S. Fung|C. D. Beling|Hang De-Sheng and Weng Huimin|
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