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Comment on "Use of Si+ pre-ion-implantation on Si substrate to enhance the strain relaxation of the
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:0
  • 页码:1362-1367
  • 语言:英文
  • 相关项目:Si基高效率发光新结构制备研究
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