Si基高效率发光新结构制备研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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Si基高效率发光新结构制备研究

项目名称：Si基高效率发光新结构制备研究
项目类别：面上项目
批准号：50672079
申请代码：E0209
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2007-01-01-2009-12-31

项目负责人：陈松岩
负责人职称：教授
依托单位：厦门大学
批准年度：2006

中文摘要：

Si基高效率发光材料和结构是实现全Si光电集成的关键问题，也是全世界近年来研究热点。本项目组在合同执行过程中，通过探索得到的实验方法，在理论指导下，很好的完成了合同书中的各项要求。取得的成果如下 1. 在 UHV/CVD 系统下，成功的外延出高质量的Si材料和Si/SiGe量子阱材料。 2. 掌握了单层Se的在Si（100）上的吸附条件，并得到了优化的结果。 3. 在吸附了单层Se的Si(100)衬底表面用气态源外延Si层，通过RHEED，AFM，SEM，XPS的结果分析，探索得到最优的生长工艺条件。 4. 成功地在Si（100）衬底上制备出Se/Si10/Se /Si10/Se超晶格结构，并在室温下获得了光致发光。该结构及其室温下的光致发光在国际上还未见报道，这将为实现Si基发光提供一种新方法或途径。在项目完成期间，在核心和权威刊物上正式发表论文 22 篇，其中SCI收录14篇和一项专利，很好的完成了项目。

中文主题词：高效率发光

结论摘要：

英文主题词Silicon

成果综合统计