位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Theoretical study on the band structure and optical properties of 4H-SiC
  • 期刊名称：Chin. Phys.
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 页码：13. 2126-2129, 2004
  • 语言：英文
  • 相关项目：第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
作者： 徐彭寿|谢长坤|潘海斌|徐法强|
同期刊论文项目
第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
期刊论文 30 会议论文 1
同项目期刊论文
Ultraviolet photoluminescence from 4H-SiC nanocrystalline films deposited on silicon substrate
Theoretical Calculation on the atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface
α-SiC()表面结构的第一性原理计算
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
基于C代码的PSpice器件模型的实现方法
SiC单晶生长研究进展
大尺寸6H-SiC单晶半导体材料的生长
An analysis of seed graphitization for sublimation growth of SiC bulk crystal
Heteroepitaxy of ZnO film on Si(111) substrate using a 3C-SiC buffer layer
Coaxial ZnO/SiO2 nanocables fabricated by thermal evaporation and oxidation
SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究
Theoretical studies on band structure and optical properties of 3C-SiC by FPLAPW
Heteroepitaxial Growth and Characterization of 3C-SiC Films on Si Substrates Using LPVCVD
Ni/4H-SiC肖特基势垒磁场下输运性质的研究与分析
碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征
A heat transfer analysis for SiC single crystal growth by PVT method
SiC肖特基紫外光电探测器的研制
具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射
硅基片上异质外延SiC的机理研究
以碳化硅为基地高性能紫外光电探测器
New type of defects in SiC grown by the PVT method
一种碳化硅晶体生长装置
物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
一种SiC单晶生长压力自动控制装置
不同衬底材料的ZnO／Si异质结I-V及光电特性
镊子状GaN纳米材料的合成、机理及光致发光特性
大面积SiC纳米线网的合成及形成机理
Theoretical calculations on the atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface