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具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射
  • 期刊名称：计算物理
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 页码：21. 311-315, 2004
  • 语言：中文
  • 相关项目：第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
作者： 陈文建|谢家纯|徐军|胡林辉|董晓波|
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第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
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