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α-SiC()表面结构的第一性原理计算
  • 期刊名称：物理学报
  • 时间：0
  • 页码：51. 2804-2811, 2002
  • 语言：中文
  • 相关项目：第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
作者： 谢长坤|徐彭寿|徐法强|潘海斌|
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第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
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