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一种SiC单晶生长压力自动控制装置
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：中国科学院物理研究所
  • 页码：200310113522.4
  • 语言：中文
  • 相关项目：第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
作者： 陈小龙、吴星、李河清、倪代秦、胡伯清|
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第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
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