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第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
  • 项目名称：第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
  • 项目类别：重点项目
  • 批准号：50132040
  • 申请代码：E0201
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2002-01-01-2004-12-01
  • 项目负责人：陈小龙
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2001
中文摘要：

研究物理气相传输过程中生长条件对SiC晶体生长速度和晶体形态的影响，各种缺陷的形成坪拖ν揪叮こ龃蟪叽绺咧柿康ゾАＱ芯刻蓟枰熘屎屯释庋颖∧さ纳と攘ρШ投ρ侍?优化生长工艺;探讨生长过程中缺陷的形成机制、减少缺陷的途径及掺杂控制恢荚诨竦酶呶麓蠊β势骷玫母咂分侍蓟柰庋颖∧げ⒅票赋瞿透呶绿蓟柙托图

中文主题词： 碳化硅；物理气相传输；碳化硅薄膜；能带结构；肖特基势垒
结论摘要：

英文主题词SiC; PVT; SiC films; band structure; Schottky barrier

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
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会议论文
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