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New type of defects in SiC grown by the PVT method
  • 期刊名称：Journal of physics: condensed matter
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 页码：17. L85–L91, 2005
  • 语言：英文
  • 相关项目：第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
作者： 朱丽娜|李河清|胡伯清|吴星|陈小龙|
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第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
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