位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
1×4 Ge-on-SOI PIN Photodetectors Array for Parallel Optical Interconnects
  • 期刊名称：J. of Lightwave Technology
  • 时间：0
  • 页码：5687-5689
  • 语言：中文
  • 相关项目：绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
作者： 成步文|
同期刊论文项目
绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
期刊论文 18 会议论文 7 专利 2
同项目期刊论文
硅基锗材料的外延生长及其应用
Fabrication of Silicon-based Template-assisted Nanoelectrode Arrays and Ohmic Contact Properties Inv
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
Zero Biased Ge-on-Si Photodetector with a bandwidth of 4.72GHz at 1550nm
用 PAA 模板法实现硅基纳米孔阵列结构
Si 衬底上 Ge 材料的 UHVCVD 生长
重掺 B 对应变 SiGe 材料能带结构的影响
SOI 衬底和 n+ 衬底上 SiGe HBT 的研制
A base-emitter self-aligned Multi-finger Si1-xGex/Si power heterojunction bipolar transistor
Effect of heavily doped boron on bandgap narrowing of strained SiGe layers
超薄阳极氧化铝模板的制备
单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究
重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构
超薄阳极氧化铝模版的制备
Zero biased Ge-on-Si a bandwidth of 4.72 photodetector with GHz at 1550 nm
Investigation of Ge-Si Atomic Interdiffusion in Ge Nano-dots Multilayer Structure by Double Crystal X-ray Diffraction