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Effect of heavily doped boron on bandgap narrowing of strained SiGe layers
  • 期刊名称：CHIN.PHYS.LETT.
  • 时间：0
  • 页码：1686-1689
  • 语言：中文
  • 相关项目：绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
作者： 成步文|
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