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SOI 衬底和 n+ 衬底上 SiGe HBT 的研制
  • ISSN号：1005-9490
  • 期刊名称：电子器件
  • 时间：0
  • 页码：1529-1531
  • 语言：中文
  • 相关项目：绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
作者： 姚飞，薛春来|成步文|王启明|
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期刊信息
  • 《电子器件》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:东南大学
  • 主编：孙立涛
  • 地址：南京市四牌楼2号
  • 邮编：210096
  • 邮箱：dzcg-bjb@163.com
  • 电话：025-83794925
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-9490
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1416/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 2011-2012年获中国科技论文在线优秀期刊一等奖,2012年第四届中国高校特色科技期刊奖,2012年获中国权威学术核心期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:7464