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780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:TN248.4[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,长春130033, [2]中国科学院大学,北京100039
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(61234004,61204055,61434005,61176045)
中文摘要:

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。

英文摘要:

In order to obtain high power high optical quality lasing,a 780 nm diode array device with five array units was designed.The device is fabricated with strip width of 10μm,separation between laser array units of 100μm and filling factor of 10%.The quasi-continuous wave injection current increases from 1.2Ato 2.5A,the lateral beam parameter product of the device increases from 0.666mm·mrad to 0.782mm·mrad.When the injection current is 2.5A,the device achieves high optical quality lasing with an output power of 506 mW from one cavtiy facet.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924