位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
NaOH-NaClO腐蚀液制备太阳电池用多晶硅绒面的研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:半导体光电
  • 时间:2012
  • 页码:65-69
  • 分类:TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
  • 作者机构:[1]浙江师范大学材料物理系,浙江金华321004
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(61076055); 金华科技计划项目(2009-1-141); 2010年浙江省大学生科技创新计划项目(新苗人才计划)(2010R404022)
  • 相关项目:低成本和高效率的多晶硅薄膜太阳能电池的研究
中文摘要:

介绍了一种采用NaOH-NaClO混合腐蚀液制备多晶硅绒面的新方法。研究结果表明,当VNaOH:VNaClO=1:3,NaOH浓度为17%,腐蚀温度为80℃,腐蚀时间为20min时,能够得到均匀的沟壑状凹坑多晶硅绒面,腐蚀后硅片表面的反射率与未腐蚀的硅片表面的反射率相比,降低近30%。另外,与传统的HF:HNO3酸腐蚀工艺相比,这种新型腐蚀工艺不仅可以获得反射率更低的多晶硅绒面结构,而且反应过程中产生的具有高度活性的氯离子可以作为很好的吸杂剂,降低一些有害的金属杂质的活性以提高太阳电池的开路电压,同时也省去了在产业化生产过程中的盐酸处理,从而改善了生产环境。

英文摘要:

A novel and environmental texture process based on a composition of sodium hydroxide(NaOH) and sodium hypochlorite(NaClO) solution for multicrystalline silicon was introduced.Results indicate that uniform and sulciform texture on the surface multicrystalline silicon can be obtained with the following etching conditions:VNaOH:VNaClO=1:3,17% NaOH,80 ℃ temperature,and the etching time of 20 min.The texture surface reflectance of as-grown wafers nearly reduces by 30%.And compared with wafers fabricated with the traditional industrial acid process,not only lower reflectance but also highly reactive chloride ion(Cl-) which can be used as gettering agent can be obtained.In addition,the procedure of HCl disposal can be omitted in the process of industrialization,and the operation environment can be improved greatly.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924