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Temperature Dependence of Si-SiO2 Barrier Height and Tunneling Current in Ultrathin MOS Structure
  • ISSN号:1546-1955
  • 期刊名称:Journal of Computational and Theoretical Nanoscien
  • 时间:2012.7.7
  • 页码:918-921
  • 相关项目:低成本和高效率的多晶硅薄膜太阳能电池的研究
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