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Simulation of Program/Erase and Capacitance-Voltage Characteristics of Metal Nanocrystal Memory
  • ISSN号:1546-1955
  • 期刊名称:Journal of Computational and Theoretical Nanoscien
  • 时间:2011.10.10
  • 页码:2013-2018
  • 相关项目:低成本和高效率的多晶硅薄膜太阳能电池的研究
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