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SnS光电薄膜及其太阳电池的研究进展
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京210016
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(61176062);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)
中文摘要:

近年来化合物薄膜太阳电池得到迅猛的发展。SnS光电薄膜的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,并且具有较高的吸收系数,所以它是一种理想的太阳电池材料。制备SnS光电薄膜的方法有电沉积法、热蒸发法、化学浴法、连续离子吸附沉积法、喷雾热解法和两步法等。不仅概述了不同掺杂元素以及掺杂浓度对SnS薄膜性能的影响,同时还讨论了目前国内外SnS薄膜太阳电池的研究状况,分析了当前SnS薄膜太阳电池效率偏低的原因。最后对SnS薄膜太阳电池的发展趋势与前景作了一些探讨。

英文摘要:

Recent years, compound thin film solar ceils have achieved significant improvements. The band gap of SnS thin film matches well with solar spectrum, and its absorption coefficient is high. It is an ideal material for solar cells. The main preparation methods of SnS thin film are electric deposition, thermal evaporation, chemical bath deposition, successive ionic layer adsorption and reaction, spray pyrolysis, two stage process and so on. The effect of different doping elements and concentrations for SnS thin film on performance was outlined. The current research development of SnS thin film solar cells was discussed, and the reasons of their low efficiencies were analyzed. Finally, the development tendency and prospects were predicted.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070