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多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展
  • ISSN号:1672-7126
  • 期刊名称:《真空科学与技术学报》
  • 时间:0
  • 分类:TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京210016
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(61176062); 江苏省工业支撑项目(BE2012103); 江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08); 江苏高校优势学科建设工程项目
中文摘要:

介绍了基于电化学腐蚀多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展,对多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的四个主要步骤:双层多孔硅的制备、活性超薄晶硅外延层生长、基于多孔硅的层转移和超薄晶硅太阳电池研制进行了概述,并对超薄晶硅太阳电池的前景进行了展望。

英文摘要:

The latest progress in fabrication of ultra-thin crystalline silicon solar-cells,based on transfer approach of the electrochemically etched porous Si-based layers,was tentatively reviewed. The newly-developed 4-step technique includes: i) fabrication of double-layered porous Si on re-usable Si-wafer by electrochemical etching and high temperature annealing in atmosphere,such as O_2,Ar,N_2 and H_2; ii) epitaxial growth of ultra-thin( 10 ~ 30μm),active Si-layer on the porous Si-layers by conventional coating techniques,including the low pressure chemical vapor deposition( LPCVD),atmospheric pressure APCVD,hot-filament HWCVD and liquid phase epitaxy( LPE);iii) peeling off and transferring of the epi-Si / double-layered porous Si-foil from Si-wafer onto substrate of glass and /or stainless steel; and iv) fabrication of solar cells on the transferred ultra-thin Si-foil. Moreover,the development trends,technical problems and possible solutions in fabrication of ultra-thin crystalline Si solar cells in the transfer approach were discussed in a thought provoking way.

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期刊信息
  • 《真空科学与技术学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国真空学会
  • 主编:李德杰
  • 地址:北京朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
  • 邮编:100022
  • 邮箱:cvs@chinesevacuum.com
  • 电话:010-58206280
  • 国际标准刊号:ISSN:1672-7126
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5177/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:4421