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退火温度对室温沉积的ITO薄膜与p-Si接触性能的影响
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:O484.1[理学—固体物理;理学—物理] TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]金陵科技学院材料工程学院,江苏南京211169, [2]南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(61176062); 江苏省优势学科资助项目(PAPD); 金陵科技学院博士启动基金资助项目(jit-b-201206)
中文摘要:

以康宁Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了不同硅铝厚度比的非晶硅/二氧化硅/铝叠层,在氩气保护下于450℃退火一定时间,制备出铝诱导多晶硅薄膜。用Raman光谱和紫外反射光谱讨论了硅铝厚度比对薄膜结晶性能的影响。结果表明,硅铝厚度比对多晶硅薄膜的结晶性能有显著影响,最佳硅铝厚度比为5∶1。

英文摘要:

Corning glass eagle 2000 was used as substrate to prepare glass/amorphous/silicate/aluminum stacks of different thickness ratio of silicon to aluminum by magnetron-sputtering.The stacks were annealed at 450℃ for selected time in Ar atmosphere and polycrystalline silicon film was achieved by aluminum-induced crystallization.Raman spectra and ultraviolet reflectance spectra were used to measure the crystalline quality of polycrystalline silicon.The crystalline quality was greatly influenced by the thickness ratio.The optimum thickness ratio of silicon to aluminum was 5∶1,which was inferred by the crystalline quality.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924