基于量子效应的硅基光电信息材料的构筑原理与新技术-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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基于量子效应的硅基光电信息材料的构筑原理与新技术

项目名称：基于量子效应的硅基光电信息材料的构筑原理与新技术
项目类别：重大研究计划
批准号：90301009
申请代码：F040104
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2007-12-31

项目负责人：陈坤基
负责人职称：教授
依托单位：南京大学
批准年度：2003

中文摘要：

用于制备微电子器件最重要的半导体材料硅(Si)是否能在纳电子器件时代继续扮演重要角色？是否能实现Si单片光电集成？这是当前材料科学和微电子学领域中的重大前沿研究课题，具有重要的基础和应用研究意义。实验和理论研究表明纳米尺度的Si量子点薄膜材料显示出新的量子光电特性，有望把Si材料应用推向纳、光电子领域。本项目的研究目标和研究内容是在我们已建立的超薄非晶Si层激光诱导限制晶化技术的基础上，基于材料的

中文主题词：硅量子点薄膜；激光定域晶化；量子尺寸效应；光电特性

英文摘要：

Si quantum dots film; constrai

英文主题词： Si quantum dots film; constrai

结论摘要：

实验和理论研究表明纳米尺度的Si 量子点薄膜材料显示出新的量子光电特性，有望把Si 材料应用推向纳、光电子领域。本项目的研究目标和研究内容是在我们已建立的超薄非晶Si 层激光诱导限制晶化技术的基础上，基于材料的尺寸效应，从构筑原理和工艺方法两方面提出一种制备可控、有序Si 量子点光电薄膜材料的新技术；揭示由量子限制、量子隧穿和库仑阻塞效应等产生的光电特性，为该类Si 量子材料应用于纳电子和光电子集成打下基础。本项目提出的研究思想与工艺技术不仅具有原创性，而且与当前的Si 微电子工艺相兼容，对我国发展Si 基纳、光电子器件具有明显的推动作用。经4年的努力工作，已全面完成了原定的研究内容，已发表论文51篇，其中SCI论文47篇，EI论文4篇，包括Phys. Rev. Lett. 1篇, Appl. Phys. Lett. 8篇, Phys Rev. B 1篇， Nanotechnology 1 篇。已获国家发明专利2项、申请发明专利10项。对照原计划书中的研究目标和任务，本项目已超额完成了预期的研究目标。

成果综合统计