位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Modeling for the Potential Distribution in Polysilicon Gate Region
  • 时间：0
  • 相关项目：异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
同期刊论文项目
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
期刊论文 17 会议论文 5
同项目期刊论文
摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性
基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型
异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真
复合多晶硅栅LDMOS的特性研究
高压LDMOS反相器功耗的计算
高压LDMOS功耗的分析
A New Method for Studying the Subthreshold Characteristics of Nano-Scaled MOSFETs
阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真
Au纳米晶MIS结构存储性能研究
高压LDMOS场极板的分析与设计
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型
高压LDMOS I—V特性宏模型的建立
功率放大器非线性失真的Volterra级数分析
基于Volterra级数的CMOS低噪声放大器的非线性分析
一种三态鉴频鉴相器的设计