位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Fabrication and characteristics of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：2011.6.6
  • 页码：33-35
  • 相关项目：新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究
作者： 陈丰平|张玉明|吕红亮|张义门|郭辉|郭鑫|
同期刊论文项目
新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究
期刊论文 14 会议论文 1 专利 3
同项目期刊论文
Edge termination study and fabrication of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
Investigation of current transport parameters of Ti/4H-SiC MPS diode with inhomogeneous barrier
Study of the effect of lithography deviation on 4H-SiC floating junction junction barrier Schottky d
4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型
Investigation of surface morphology and ion activation of aluminium implanted 4H-SiC
Simulation study on 4H-SiC power devices with high-k dielectric FP terminations
Investigation of a 4H-SiC metal-insulation-semiconductor structure with an Al2O3/SiO2 stacked dielec
Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode
Temperature-dependent characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes
套刻偏差对4H-SiC浮动结结势垒肖特基二极管的影响研究
First-principles calculation on the concentration of intrinsic defects in 4H-SiC
4H—SiC n—MOSFET新型反型层迁移率模型
N型4H—SiC低温拉曼光谱特性
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754