位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Temperature-dependent characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2012.3.3
  • 页码：1-5
  • 相关项目：新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究
作者： Chen Feng-Ping|Zhang Yu-Ming|Zhang Yi-Men|Tang Xiao-Yan|Wang Yue-Hu|Chen Wen-Hao|
同期刊论文项目
新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究
期刊论文 14 会议论文 1 专利 3
同项目期刊论文
Edge termination study and fabrication of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
Investigation of current transport parameters of Ti/4H-SiC MPS diode with inhomogeneous barrier
Study of the effect of lithography deviation on 4H-SiC floating junction junction barrier Schottky d
4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型
Investigation of surface morphology and ion activation of aluminium implanted 4H-SiC
Fabrication and characteristics of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
Simulation study on 4H-SiC power devices with high-k dielectric FP terminations
Investigation of a 4H-SiC metal-insulation-semiconductor structure with an Al2O3/SiO2 stacked dielec
Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode
套刻偏差对4H-SiC浮动结结势垒肖特基二极管的影响研究
First-principles calculation on the concentration of intrinsic defects in 4H-SiC
4H—SiC n—MOSFET新型反型层迁移率模型
N型4H—SiC低温拉曼光谱特性
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406