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Atomic diffusion in annealed Cu/SiO2/Si （100） system prepared bymagnetron sputtering
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O484.1[理学—固体物理;理学—物理] TQ164.8[化学工程—高温制品工业]
  • 作者机构：[1]School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China, [2]School of Nuclear Science and Engineering, North China Electric Power University, Beijing 102206, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 10375028）.
作者： 曹博[1,2], 贾艳辉[1], 李公平[1], 陈熙萌[1]
关键词： SI(100), CU/SIO2, 磁控溅射, 原子扩散, 系统, 扩散退火, 卢瑟福背散射, 退火温度, diffusion interface reaction copper silicides
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： ligp@lzu.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406