铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散效应-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散效应

项目名称：铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散效应
项目类别：面上项目
批准号：10375028
申请代码：A050401
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2006-12-31

项目负责人：李公平
负责人职称：教授
依托单位：兰州大学
批准年度：2003

中文摘要：

用团簇源装置产生铜团簇束，使铜团簇的平均尺度一定，团簇束能量分别为0，1，3，5,10keV。在室温本底高真空条件下分别沉积在单晶硅P-Si(111)，P-Si(100)上成膜制样。退火前，用X射线衍射（XRD）分析薄膜与界面结构,用离子束背散射(RBS)分析铜在硅中的扩散，用扫描电镜（SEM）观察Cu/ Si(111)界面形貌。在N2:H2=9:1气氛下，让样品退火，温度分别为200℃，300℃，每次退火时间t=30分钟，退火后，再用XRD分析薄膜与界面结构，用RBS分析铜在硅中的扩散，用SEM观察样品界面形貌的变化。将它们与蒸发镀膜和一般磁控溅射情况进行对比。弄清楚低能铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散现象和规律；丰富铜团簇束与硅作用的知识及对现有扩散机理的认识。

中文主题词：铜团簇；单晶硅；薄膜；扩散

英文摘要：

Cu clusters; monocrystalline s

英文主题词： Cu clusters; monocrystalline s

结论摘要：

用团簇源装置产生铜团簇束，使铜团簇的平均尺度一定，团簇束能量分别为0，1，3，5keV。在室温本底高真空条件下分别沉积在单晶硅P-Si(111)，P-Si(100)上成膜制样。退火前，用X射线衍射（XRD）分析薄膜与界面结构,用离子束背散射(RBS)分析铜在硅中的扩散，用扫描电镜（SEM）观察Cu/ Si(111)界面形貌。在高纯Ar2气氛下，让样品退火，温度分别为230℃，300℃，350℃，450℃，500℃，600℃，650℃和700℃，每次退火时间t=30分钟，退火后，再用XRD分析薄膜与界面结构，用RBS分析铜在硅中的扩散，用SEM观察样品界面形貌的变化。将它们与一般磁控溅射情况进行对比。弄清楚低能铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散现象和规律；丰富铜团簇束与硅作用的知识及对现有扩散机理的认识。

成果综合统计