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Improvement of blue InGaN light-emitting diodes with gradually increased barrier heights from n- to p-layers
  • ISSN号：1001-9014
  • 期刊名称：《红外与毫米波学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN312.8[电子电信—物理电子学] O471.5[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
  • 相关基金：Acknowledgements This work was supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 60976042 and 10990103）, the National Basic Research Program of China （Nos. 2010CB923204 and 2012CB619302）, and the China Postdoctoral Science Foundation （No. 20100480064）. The authors are also grateful to Mr. M. Yang from Crosslight Software Inc. for technical assistance.
作者： Wu TIAN Xiong HUI Yang LI Jiangnan DAI Yanyan FANG Zhihao WU Changqing CHEN
关键词： 发光二极管, 势垒高度, 氮化铟镓, 蓝色, 空穴浓度, 照明功率, 活性区域, 仿真程序, InGaN, light-emitting diodes （LED）, polariza-tion effect, gradual barrier height
中文摘要：

E-mail： hsiung.hust@gmail.com

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期刊信息
  • 《红外与毫米波学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院上海技术物理研究所 中国光学学会
  • 主编：褚君浩
  • 地址：上海市玉田路500号
  • 邮编：200083
  • 邮箱：jimw@mail.sitp.ac.cn
  • 电话：021-25051553
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9014
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1577/TN
  • 邮发代号:4-335
  • 获奖情况:
  • 1992、1996年获全国优秀学术期刊一等奖,1999年首届国家期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:8778