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采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较
  • ISSN号：1673-2812
  • 期刊名称：《材料科学与工程学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室, 曲阜师范大学物理工程学院, 查尔姆斯理工大学微米技术和纳米科学系
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(10990103);中国科学院先导专项资助项目(XDA5-1);中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新资助项目
作者： 周海飞, 龚谦, 王凯, 康传振, 严进一, 王庶民
关键词： 分子束外延, InGaP, InAlP, 张应变Ge
中文摘要：

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。

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期刊信息
  • 《材料科学与工程学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:浙江大学
  • 主编：叶志镇
  • 地址：浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
  • 邮编：310027
  • 邮箱：jmse@ema.zju.edu.cn
  • 电话：0571-87951403
  • 国际标准刊号：ISSN：1673-2812
  • 国内统一刊号：ISSN：33-1307/T
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:9446