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温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：功能材料
  • 时间：0
  • 页码：63-67
  • 语言：中文
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学] O484.4[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000, [2]湖南科技大学物理学院,湖南湘潭411201
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（60676033）;甘肃省自然科学基金资助项目（3ZS041-A25-001）
  • 相关项目：有机光电功能材料蒽偶联稠化物的合成及其器件的研究
作者： 胥超|李建丰|张桂铃|欧谷平|张福甲|苏庆|孙硕|
关键词： PTCDA/p—Si, RAMAN光谱, AFM, 衬底温度, PTCDA/p-Si , Raman spectra, AFM, substrate temperature
中文摘要：

通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si（100）面。采用Raman光谱，AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响，进而完善了p—Si基PTCDA薄膜的生长机制。

英文摘要：

The PTCDA films were grown on p-Si（100） by vacuum evaporation. We investigated the influence of substrate temperature on the molecule structure and surface morphology of the PTCDA by Raman and AFM, Moreover we consummated the growth mode of PTCDA on p-Si.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
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