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PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN305[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50532060)
作者： 顾修全[1], 朱丽萍[1], 叶志镇[1], 何海平[1], 张银珠[1], 赵炳辉[1]
关键词： PLD, ZNO, 能带工程, 纳米材料
中文摘要：

使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
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