位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响
  • ISSN号：1000-985X
  • 期刊名称：《人工晶体学报》
  • 时间：0
  • 分类：O77[理学—晶体学]
  • 作者机构：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899, [2]中国科学院大学,北京100049
  • 相关基金：国家自然科学基金青年基金项目（51002176）; 中国科学院重要方向项目（KJCX2-EW-W10）
作者： 石彪[1,2], 刘学超[1], 周仁伟[1,2], 杨建华[1], 郑燕青[1], 施尔畏[1]
关键词： 3C-SIC, 碳化, 结晶质量, 缓冲层
中文摘要：

本文以Si（100）为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积（APCVD）系统在不同温度（1100～1250℃）下制备的＂缓冲层＂上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现＂镶嵌＂结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的＂缓冲层＂上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其（200）晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。

同期刊论文项目
氧化锌基稀磁半导体薄膜反常霍尔效应与磁输运性能研究
期刊论文 23 会议论文 2 专利 3
同项目期刊论文
The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atm
Oxygen enhanced ferromagnetism in Cr-doped ZnO films
Defects enhanced ferromagnetism in Cu-doped ZnO thin films
The dual effects of Al-doping on the ferromagnetism of Zn0.98-yEr0.02AlyO thin films
Effects of substrate crystallinity on the on-state resistance of 6H-SiC photoconductive switches
Room-temperature anomalous Hall effect and magnetroresistance in (Ga, Co)-codoped ZnO diluted magnet
Band alignment of Ga2O3/6H-SiC heterojunction
Study of Nitrogen concentration in silicon caribde
Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vandium carbide doping
非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展
(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究
Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal
Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing
Multi-roles of Cu ions in the ferromagnetic properties of (Cu, Al)-codoped ZnO thin films
Direct Observation of Nanoscale Native Oxide on 6H-SiC Surface and Its Effect on the Surface Band Be
Ionized zinc vacancy mediated ferromagnetism in copper doped ZnO thin films
Influence of Ga doping on the Cr valence state and ferromagnetism in Cr: ZnO films
Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si(100) substrates by APCVD
Influence of surface bow on reconstruction on 2-inch SiC (0001) wafer
Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响
Room-temperature anomalous Hall effect and magnetroresistance in （Ga, Co）-codoped ZnO diluted magnetic semiconductor films
期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编：余明清
  • 地址：北京市733信箱
  • 邮编：100018
  • 邮箱：
  • 电话：010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-985X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:9943