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Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响
  • ISSN号：1000-985X
  • 期刊名称：《人工晶体学报》
  • 时间：0
  • 分类：O771[理学—晶体学]
  • 作者机构：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899, [2]中国科学院大学,北京100049
  • 相关基金：国家自然科学青年基金（51002176）; 中国科学院知识创新工程重要方向项目（KJCX2-EW-W10）; 江苏省产学联合技术创新基金项目（BY2011119）; 国家高技术研究发展计划（863计划）（2013AA031603）
作者： 姜涛[1,2], 严成锋[1], 陈建军[1], 刘熙[1], 杨建华[1], 施尔畏[1]
关键词： 6H-SIC, 退火, AFM, 台阶结构
中文摘要：

本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜（AFM）对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编：余明清
  • 地址：北京市733信箱
  • 邮编：100018
  • 邮箱：
  • 电话：010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-985X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:9943